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GaAs(ガリ砒素)ウェハー

項目Unit仕様
サイズinch34
直径 mm 76.2±0.2 100.0±0.2
ドーパント - アンドープ
結晶方位 - <100>
厚み μm 599~610 615~629
パーティクル - ダストフリー
表面仕上げ - ミラーポリッシュ
裏面仕上げ - エッチド ミラーポリッシュ
Warp μm 2.0~3.5 2.8~4.6
TTV μm 1.1~3.7 1.1~2.6
梱包形態 - 1枚用ケース+クリーンパック+窒素封入
備考 - ※経過品

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